“‘유기적인 협업·원팀’ D램 시장서 독보적인 1위 기술력 발휘”
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| ▲왼쪽부터 김형수 부사장(DRAM AE), 조영만 부사장(DRAM PI), 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST) |
10일 하이닉스 뉴스룸에 따르면 1c 기술 개발 과정과 함께 SK하이닉스의 혁신 기술 역량과 D램 기술 로드맵에 대해 조명하는 좌담회를 진행했다고 전해졌다. 이 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다.
1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술로 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.1c 기술은 어떤 기술적 도전과 한계를 뚫고 탄생했으며, 회사 기술진은 어떻게 ‘세계 최초’라는 타이틀 획득했는지 각 조직의 역할을 중심으로 이야기가 오갔다.
이와 관련,오태경 부사장은 “1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 ‘1등 개발’이었다.이를 위해 우리는 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다. 그리고 기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했으며, 커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택했다. 덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다”고 했다.
조주환 부사장은 “최고 경쟁력이 입증된 1b 기술을 경험한 덕분에 기술적 위험도는 줄었으나, 작아진 셀 크기와 커진 저항으로 인해 여전히 해결해야 하는 문제들이 많았다. 이를 위해 회로 밀도와 센싱 성능을 높이는 등 다양한 설계 혁신을 통해, 데이터 처리 속도는 높이고 전력 소비는 줄이는 데 성공했다. 또, 공정 조직과 협업해 넷다이를 극대화하며, 원가 경쟁력까지 확보했다”고 말했다.
SK하이닉스가 D램 시장에서 독보적인 기술 리더십을 발휘할 수 있는 저력에 대해 좌담회 참여자 모두가 한목소리로 ‘유기적인 협업’과 SK하이닉스의 ‘원팀(One Team)’ 정신을 이야기했다.
이에 정창교 부사장은 “1c 기술 개발 과정에서 가장 중요한 요소는 원팀 문화였다. ‘최초’라는 타이틀에 따라오는 많은 기술적 도전을 극복하기 위해, 각 조직이 긴밀히 협력하여 문제를 조기 발견했고, 해결했기 때문이다. 특히, DRAM PE 조직이 스크린 최적화를 진행하는 과정에서 설계 및 공정 조직과의 긴밀한 협업이 핵심적인 역할을 했다.”고 했다.
김형수 부사장은 “미세 공정의 난이도는 점점 높아지고 그에 따른 다양한 기술적 난제가 존재하고 있지만 이를 해결할 힘은 결국 여러 유관 조직이 같은 목표를 향해 나아가는 원팀 정신이라고 생각한다.”며 “내부 협업 체계뿐만 아니라 고객과의 고객과의 끊임없는 소통과 기술 협력도 중요하다”고 했다.
이와 함께 1c 기술은 향후 어떤 기술 혁신을 불러올 것이며, SK하이닉스의 D램은 어떤 방향으로 발전해나갈지 대해서도 심도있게 의견을 공유했다.
손수용 부사장은 “1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했지만 1c DDR5는 시작일 뿐이다. 앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용되어 지속가능한 성장과 혁신을 이끌어갈 것이며, 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것”이라 기대감을 드러냈다.
조영만 부사장은 “1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것이며 특히, 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것이라 예상된다.이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요할 것이다. 이에 효과적으로 대응하고자 SK하이닉스의 D램 기술 개발 체계 역시 지속적으로 고도화하고 있다”고 했다.
SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다. 최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술은 앞으로 회사의 1등 리더십을 더욱 공고히 해줄 것으로 기대를 모으고 있다. 끝으로, 좌담회 참여자들은 D램의 새로운 패러다임을 연 주역으로서 소감과 포부를 전했다.
이에 대해 오태경 부사장은 “1등 개발이 끝이 아니다. 남은 기간 동안 부족한 부분을 보완해 안정적인 양산 수율과 원가 경쟁력을 지속 개선할 계획이며, 이를 통해 SK하이닉스의 1등 리더십을 사수하겠다”고 했다.
손수용 부사장은 “이번 성과는 오랜 노력의 결실이라 생각한다. SKMS(SK Management System)를 기반으로 우수한 기업 문화와 원팀 협업을 통해 지속적으로 성장하고 발전할 수 있도록 앞으로도 구성원들과 함께 노력하겠다”고 말했다.
김형수 부사장은 “SK하이닉스의 1c DDR5는 앞으로 고성능 서버 시스템의 기준이 될 것이고, 압도적인 기술력으로 시장을 선도할 것이다.개발에 참여한 모든 구성원들의 노력과 헌신의 결과라고 생각하며 앞으로도 세계 최고라는 타이틀을 지켜나갈 수 있도록 함께 노력하겠다”고 각오를 다졌다.
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